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氮化硼微溶于热酸，不溶于冷水，相对密度2.25。压缩强度为170MPa。在氧化气氛下使用温度为900℃，而在非活性还原气氛下可达2800℃，但在常温下润滑性能较差。
立方氮化硼作为一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高电阻率、高迁移率、低介电常数、高击穿电场、能实现双型掺杂且具有良好的稳定性，它与金刚石、SiC和GaN一起被称为继Si、Ge及GaAs之后的*三代半导体材料，它们的共同特点是带隙宽，适用于制作在特别条件下使用的电子器件。
在光学应用方面，由于立方氮化硼薄膜硬度高，并且从紫外到远红外整个波段都具有高的透过率，因此适合作为一些光学元件的表面涂层，特别适合作为硒化锌、硫化锌等窗口材料的涂层。此外，它具有良好的抗热冲击性能和商硬度，有望成为大功率激光器和探测器的理想窗口材料。

氮化硼的物质结构：
氮化硼六方晶系结晶，常见为石墨晶格，也有无定形变体，除了六方晶型以外，碳化硼还有其他晶型，包括：菱方氮化硼（简称：r—BN，或称：三方氮化硼，其结构类似于h—BN，会在h—BN转化为c—BN的过程中产生）、立方氮化硼【简称：c—BN，或3一BN，或z-BN（即闪锌矿型氮化硼），质地非常坚硬】、纤锌矿型氮化硼（简称：w—BN，h—BN高压下的一种坚硬状态）。人们甚至还发现像石墨稀一样的二维氮化硼晶体（类似的还有MoS：二维晶体）。

氮化硼制备方法：
1、高温高压合成法。
在温度接近或**1700℃，至低压强为11～12GPa时，由纯六方氮化硼(HBN)直接转变成立方氮化硼(CBN)。随后人们发现使用催化剂可大幅度降低转变温度和压力。常用的催化剂为：碱和碱土金属、碱和碱土氮化物、碱土氟代氮化物、硼酸铵盐和无机氟化物等。
2、化学气相合成法
利用脉冲等离子体技术在低温低压下制备成立方氮化硼(CBN)膜。所用设备简单，工艺易于实现，因此得到迅速发展。已出现多种气相沉积方法。传统来讲主要是指热化学气相沉积。
3、水热合成法
此方法是在高压釜里的高温、高压反应环境中，采用水作为反应介质，使得通常难溶或不溶的物质溶解，反应还可进行重结晶。水热技术具有两个特点：相对低的温度；在封闭容器中进行，避免了组分挥发。作为一种低温低压合成方法，被用于在低温下合成立方氮化硼。

氮化硼的应用领域：
1、金属成型的脱模剂和金属拉丝的润滑剂。
2、高温状态的电解、电阻材料。
3、高温固体润滑剂，挤压抗磨添加剂，生产陶瓷复合材料的添加剂，耐火材料和抗氧化添加剂，尤其抗熔融金属腐蚀的场合，热增强添加剂、耐高温的绝缘材料。
4、晶体管的热封干燥剂和塑料树脂等聚合物的添加剂。
5、压制成各种形状的氮化硼制品，可用做高温、高压、绝缘、散热部件。
6、航天航空中的热屏蔽材料。
7、在触媒参与下，经高温高压处理可转化为坚硬如金刚石的立方氮化硼。
8、原子反应堆的结构材料。
9、飞机、火箭发动机的喷口。
10、高压高频电及等离子弧的绝缘体。
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