使用温度（惰性气体或者真空条件下）2000℃
导热性高导热
抗热震性和低温热膨胀性优
抗酸碱腐蚀性优
体积密度2.3
氮化硼具有抗化学侵蚀性质，不被无机酸和水侵蚀。在热浓碱中硼氮键被断开。1200℃以上开始在空气中氧化。熔点为3000℃，稍低于3000℃时开始升华。真空时约2700℃开始分解。
由于钢铁材料硬度很高，因而加工时会产生大量的热，金刚石工具在高温下易分解，且容易与过渡金属反应，而立方氮化硼材料热稳定性好，且不易与铁族金属或合金发生反应，可广泛应用于钢铁制品的精密加工、研磨等。立方氮化硼除具有优良的耐磨性能外，耐热性能也很优良，在相当高的切削温度下也能切削耐热钢、铁合金、淬火钢等，并且能切削高硬度的冷硬轧辊、渗碳淬火材料以及对磨损非常严重的Si—A1合金等。
氮化硼的贮存方法：
氮化硼贮存方法：应贮存在通风良好的干燥库房内，防止受潮。
氮化硼纤维贮存方法：贮存于通风良好、干燥库房内。空气中允许氮化硼浓度为6mg/m。
氮化硼的物质结构：
氮化硼六方晶系结晶，常见为石墨晶格，也有无定形变体，除了六方晶型以外，碳化硼还有其他晶型，包括：菱方氮化硼（简称：r—BN，或称：三方氮化硼，其结构类似于h—BN，会在h—BN转化为c—BN的过程中产生）、立方氮化硼【简称：c—BN，或3一BN，或z-BN（即闪锌矿型氮化硼），质地非常坚硬】、纤锌矿型氮化硼（简称：w—BN，h—BN高压下的一种坚硬状态）。人们甚至还发现像石墨稀一样的二维氮化硼晶体（类似的还有MoS：二维晶体）。
立方氮化硼作为一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高电阻率、高迁移率、低介电常数、高击穿电场、能实现双型掺杂且具有良好的稳定性，它与金刚石、SiC和GaN一起被称为继Si、Ge及GaAs之后的*三代半导体材料，它们的共同特点是带隙宽，适用于制作在特别条件下使用的电子器件。
在光学应用方面，由于立方氮化硼薄膜硬度高，并且从紫外到远红外整个波段都具有高的透过率，因此适合作为一些光学元件的表面涂层，特别适合作为硒化锌、硫化锌等窗口材料的涂层。此外，它具有良好的抗热冲击性能和商硬度，有望成为大功率激光器和探测器的理想窗口材料。
氮化硼制备方法：
1、高温高压合成法。
在温度接近或**1700℃，至低压强为11～12GPa时，由纯六方氮化硼(HBN)直接转变成立方氮化硼(CBN)。随后人们发现使用催化剂可大幅度降低转变温度和压力。常用的催化剂为：碱和碱土金属、碱和碱土氮化物、碱土氟代氮化物、硼酸铵盐和无机氟化物等。
2、化学气相合成法
利用脉冲等离子体技术在低温低压下制备成立方氮化硼(CBN)膜。所用设备简单，工艺易于实现，因此得到迅速发展。已出现多种气相沉积方法。传统来讲主要是指热化学气相沉积。
3、水热合成法
此方法是在高压釜里的高温、高压反应环境中，采用水作为反应介质，使得通常难溶或不溶的物质溶解，反应还可进行重结晶。水热技术具有两个特点：相对低的温度；在封闭容器中进行，避免了组分挥发。作为一种低温低压合成方法，被用于在低温下合成立方氮化硼。
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